Физические основы проектирования кремниевых цифровых интегральных микросхе

Заказ:

Автор: Попов В.Д.

ISBN: 978-5-8114-1375-1

Год издания: 2013

Издательство: Лань

Переплёт: 7бц

Страниц: 208

Формат: 84X108/32

894, 00 руб.

Изложены физические аспекты проектирования цифровых кремниевых микросхем в твердотельном и гибридном исполнении. Рассмотрены вопросы проектирования МОП и биполярных транзисторов и диодов, а также пассивных элементов (резисторов, конденсаторов, проводников и контактных узлов). Изложены вопросы проектирования элементов гибридных микросхем. Много внимания уделено проектированию МОП и КМОП интегральных микросхем(ИМС), т. к. в настоящее время именно эти ИМС занимают ведущие позиции в производстве микросхем в целом. Основной особенностью данного учебного пособия является описание методов повышения надежности и радиационной стойкости ИМС, поскольку микросхемы широко используются в экстремальных условиях эксплуатации. Учебное пособие предназначено для преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся по направлениям микроэлектроники, электроники, электронных измерительных систем, а также специалистов, интересующихся надежностью и радиационной стойкостью ИМС.

Теги